2-2. ICP
1) ICP 정의
아르곤(Ar)을 플라즈마 가스로 이용하여 고주파 발생기로부터 발생된 주파수(2.45GHz) 영역에서 유도코일에 의해 발생된 플라즈마 발생소스에는 평판형(planar)(와선형), 나선형(helical)(실린더형)
이 있다.
2) ICP의 원리
Coil에 고주파 가하면 자기장 발생
챔버 주위로 원형의
대체 제품인 300㎜ 웨이퍼가 신규라인 건설에 따른 비용부담이 과다하고 웨이퍼 자체의 신뢰성이 아직 검증되지 않은 상태이고 웨이퍼가 300㎜로 대구경화하면서 플라즈마 밀도나 공정 관련 요소들의 균일도가 나빠지는 문제점 제기.
. 나의 아이디어
원하는 부분만 laser를 사진식각공정 대신 사용
Part 1. 면접 전형 방식 + 기업 개요
[직무 및 인성면접]
직무, 인성 면접 통합으로 1회만 실시/ 면접관 4명(실무 및 임원진)/ 30분 소요/ 개인이력.자기소개서질문 + 기술질문 + 인성질문
*SK하이닉스 기업개요
SK하이닉스의 전신은 1983년 설립된 현대전자산업이다.
1999년 현대전자가 LG반도체를 흡수
◇ 도쿄일렉트론 면접후기 및 합격팁!
★채용프로세스
서류 - 인적성 - 1차면접 - 2차면접 - 3차면접
★최종면접이 잡히고 난뒤 했던 활동과 후기
반도체 공정실습을 통해 [식각공정]에 대한 이해를 높인 부분이 가장 컸다
고 생각한다. 그 중에서 수율증가를 성취한 경험을 자소서에 녹여서 작성 했
1. 단결정 성장
특수 공정을 이용해 웨이퍼 위에 전자회로를 새긴 후, 웨이퍼 위 집적회로(IC)를 각각 절단하면 IC칩이 되는 것인데요,
여기서, 웨이퍼(Wafer)란 반도체 집적회로를 만드는 중요한 재료로, 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 얻은 단결정 기둥(Ingot)를 적당한 지름으로 얇게
플라즈마 분포 및 ion kinetic energy에 대한 해석을 실시 하였으며, ITO target의 erosion형상의 원인을 실험결과와 비교하였다. magnetron sputter은 target에 가해지는 기본 전압에 의해 target과 shield 혹은 target과 substrate 사이에서 생성될 수 있는 플라즈마 사이의 전위차에 의해 가속된 이온들이 target 표면과 충
1)정의 및 특징
“이온화한 기체”를 말한다. 우리는 이러한 상태를 고체, 액체 ,기체도 아닌 “물질의 제 4상태”라고 말하기도 한다. 플라즈마는 우리가 생각하는 고체보다고 높은 밀도로 압축할 수 있고 기체 상태와 같이 낮은 압력에서도 존재한다.
기체 입자에 에너지가 가해지면 (일반적으로 가
1. 플라즈마란?
물질은 잘 알려진 바대로 고체, 액체, 기체 상태로 존재한다. 이는 물질의 물리적인 상태가 에너지가 개입되면 변화한다는 것을 뜻한다. 예를 들어 고체에 열을 가하면 고체는 녹아서 액체가 되고 열을 더 가하게 되면 액체는 증발하여 기체가 된다. 그리고 기체에 계속해서 열을 가하
1.MEMS 및 ICS에 사용되는 식각공정을 분류하고 이에 대하여 장단점과 특성을 아는바 대로 기술하시오
MEMS 식각공정은 건식식각공정이 대표적이다.
건식식각기술은 용액 속에서 식각을 하지 않고 기체상태에서 용액 없이 식각을 진행 하는 방법으로 가스 식각, 스퍼터링효과 식각, RIE 식각으로 분류